Els transistors PNP i NPN són BJT i són un component elèctric bàsic, utilitzat en diversos circuits elèctrics i electrònics per construir els projectes . El funcionament dels transistors PNP i NPN utilitza principalment forats i electrons. Aquests transistors es poden utilitzar com a amplificadors, commutadors i oscil·ladors. En el transistor PNP, els portadors de càrrega majoritaris són forats, on en NPN els portadors de càrrega majoritaris són electrons. Excepte, Els FET només tenen un tipus de portador de càrrega . La diferència principal entre el transistor NPN i el PNP és que un transistor NPN obté la potència quan el flux de corrent travessa el terminal base del transistor.
Al transistor NPN, el flux de corrent s’executa des del terminal del col·lector fins al terminal de l’emissor. Un transistor PNP s’encén quan no hi ha flux de corrent a la terminal base del transistor. Al transistor PNP, el flux de corrent s’executa des del terminal de l’emissor fins al terminal del col·lector. Com a resultat, un transistor PNP s’encén per un senyal baix, on el transistor NPN s’encén per un senyal alt.
Diferència entre PNP i NPN
Diferència entre el transistor NPN i PNP
La principal diferència entre Transistors NPN i PNP inclou el que són els transistors PNP i NPN, la construcció, el funcionament i les seves aplicacions.
Què és un transistor PNP?
El terme 'PNP' significa positiu, negatiu, positiu i també conegut com a subministrament. El transistor PNP és un BJT d’aquest transistor, la lletra ‘P’ especifica la polaritat de la tensió necessària per al terminal emissor. La segona lletra ‘N’ especifica la polaritat del terminal base. En aquest tipus de transistors, la majoria de portadors de càrrega són forats. Principalment, aquest transistor funciona igual que el transistor NPN.
Transistor PNP
Els materials necessaris que s’utilitzen per construir els terminals de l’emissor (E), la base (B) i el col·lector (C) d’aquest transistor són diversos dels que s’utilitzen al transistor NPN. Els terminals BC d’aquest transistor estan constantment invertits esbiaixats, aleshores s’hauria d’utilitzar la tensió –Ve per al terminal col·lector. En conseqüència, el terminal base del transistor PNP ha de ser –Ve respecte al terminal emissor– i el terminal del col·lector ha de ser –Ve que el terminal base.
Construcció de transistors PNP
La construcció del transistor PNP es mostra a continuació. Les característiques principals dels dos transistors són similars, tret que la polarització de les direccions de corrent i tensió s’inverteix per a qualsevol de les 3 configuracions assolibles, és a dir, base comuna, emissor comú i col·lector comú.
Construcció de transistors PNP
El voltatge entre el VBE (base i terminal emissor) és –Ve al terminal base i + Ve al terminal emissor. Atès que per a aquest transistor, el terminal base constantment esbiaixava -Ve respecte al terminal emissor. A més, el VBE és positiu respecte al col·lector VCE.
Les fonts de tensió connectades a aquest transistor es mostren a la figura anterior. El terminal de l’emissor està connectat al ‘Vcc’ amb la resistència de càrrega ‘RL’. Aquesta resistència atura el flux de corrent a través del dispositiu, que s’associa al terminal del col·lector.
La tensió base ‘VB’ està connectada a la resistència base ‘RB’, que té una polarització negativa respecte al terminal de l’emissor. Per arrelar el corrent base que flueix a través d’un transistor PNP, el terminal base del transistor hauria de ser més negatiu que el terminal base aproximadament 0,7 volts (o) un dispositiu Si.
El diferència principal entre el transistor PNP i NPN és la polarització correcta de les juntes del transistor. Les direccions del corrent i les polaritats de tensió són constantment inverses entre si.
Què és un transistor NPN?
El terme 'NPN' significa negatiu, positiu, negatiu i també conegut com a enfonsament. El transistor NPN és un BJT , en aquest transistor, la lletra inicial 'N' especifica un revestiment carregat negativament del material. On, 'P' especifica una capa completament carregada. Els dos transistors tenen una capa positiva, situada al mig de dues capes negatives. En general, el transistor NPN s'utilitza en diversos circuits elèctrics per commutar i enforteix els senyals que els excedeixen.
Transistor NPN
El transistor NPN inclou tres terminals com a base, emissor i col·lector. Aquests tres terminals es poden utilitzar per connectar el transistor a la placa de circuit. Quan el corrent flueix a través d’aquest transistor, el terminal base del transistor rep el senyal elèctric. El terminal del col·lector crea un fitxer corrent elèctric més fort , i el terminal de l'emissor supera aquest corrent més fort al circuit. En el transistor PNP, el corrent passa pel col·lector fins al terminal emissor.
Normalment s’utilitza el transistor NPN perquè és molt senzill de generar. Perquè un transistor NPN funcioni correctament, cal crear-lo a partir d’un objecte semiconductor que tingui una mica de corrent. Però no la quantitat màxima de materials extremadament conductors com el metall. El silici és un dels més utilitzats en semiconductors. Aquests transistors són els transistors simples que es construeixen a partir de silici.
El transistor NPN s'utilitza en una placa de circuit informàtic per traduir la informació a codi binari, i aquest procediment és competent a través d'una infinitat de petits interruptors que activen i desactiven les plaques. Un potent senyal elèctric fa girar l’interruptor, mentre que la manca d’un senyal fa que s’apagui.
Construcció del transistor NPN
La construcció d’aquest transistor es mostra a continuació. La tensió a la base del transistor és + Ve i –Ve al terminal de l’emissor dels transistors. El terminal base del transistor és positiu en tot moment respecte a l’emissor, i també l’alimentació del voltatge del col·lector és + Ve respecte al terminal emissor del transistor. En aquest transistor, el terminal del col·lector està vinculat al VCC a través del RL
Construcció de transistors NPN
Aquesta resistència restringeix el flux de corrent a través del corrent base més alt. Al transistor NPN, els electrons que flueixen a través de la base representen l'acció del transistor. La característica principal d’aquesta acció del transistor és la connexió entre els circuits i / p i o / p. Perquè, les propietats amplificadores del transistor provenen del control resultant que la base utilitza sobre el col·lector per emetre corrent.
El transistor NPN és un dispositiu activat actualment. Quan el transistor s’encén, l’enorme CI de corrent es subministra entre els terminals del col·lector i l’emissor del transistor. Però això només es produeix quan un petit corrent de polarització «Ib» flueix a través del terminal base del transistor. És un transistor bipolar, el corrent és la relació de dos corrents (Ic / Ib), anomenat guany de corrent continu del dispositiu.
S'especifica amb 'hfe' o actualment beta. El valor beta pot arribar a ser enorme fins a 200 per als transistors típics. Quan s’utilitza el transistor NPN en una regió activa, el corrent base ‘Ib’ ofereix l’i / p i el corrent de col·lector ‘IC’ dóna l’o / p. El guany actual del transistor NPN des de la C fins a l’Eis es diu alfa (Ic / Ie), i és un propòsit del propi transistor. Com el Ie (corrent emissor) és la suma d’un corrent base diminut i d’un enorme corrent col·lector. El valor de l'alfa és molt proper a la unitat i, per a un transistor de senyal típic de baixa potència, el valor oscil·la entre 0,950 i 0,999.
PrincipalDiferència entre PNP i NPN
Els transistors PNP i NPN són tres dispositius terminals, formats per materials dopats, que s’utilitzen freqüentment en aplicacions de commutació i amplificació. Hi ha una combinació de Diodes d’unió PN en tots transistor d’unió bipolar . Quan es connecten el parell de díodes, donen forma a un sandvitx. Aquest seient una mena de semiconductor enmig dels dos tipus similars.
Diferència entre el transistor NPN i PNP
Per tant, només hi ha dos tipus d’entrepà bipolar, que són PNP i NPN. En dispositius semiconductors, el transistor NPN té una mobilitat electrònica típicament elevada avaluada a la mobilitat d'un forat. Per tant, permet una gran quantitat de corrent i funciona molt ràpidament. I, a més, la construcció d’aquest transistor és senzilla a partir del silici.
- Tots dos transistors estan recollits de materials especials i el flux de corrent en aquests transistors també és diferent.
- En un transistor NPN, el corrent de flux s'executa des del terminal del col·lector fins al terminal de l'emissor, mentre que en un PNP, el flux de corrent s'executa des del terminal de l'emissor fins al terminal del col·lector.
- El transistor PNP està format per dues capes de material de tipus P amb una capa de sandvitx de tipus N. El transistor NPN està format per dues capes de material de tipus N amb una capa de sandvitx de tipus P.
- En un transistor NPN, s’estableix una tensió + ve al terminal del col·lector per generar un flux de corrent des del col·lector. Per al transistor PNP, s’estableix una tensió + ve al terminal de l’emissor per generar flux de corrent des del terminal de l’emissor al col·lector.
- El principi de funcionament principal d'un transistor NPN és que, quan el corrent augmenta fins al terminal base, el transistor s'encén i funciona completament des del terminal del col·lector fins al terminal de l'emissor.
- Quan reduïu el corrent a la base, el transistor s’encén i el flux de corrent és tan baix. El transistor ja no funciona a través del terminal del col·lector cap al terminal de l'emissor i s'apaga.
- El principi de funcionament principal d'un transistor PNP és quan el corrent existeix a la base del transistor PNP i el transistor s'apaga. Quan no hi ha flux de corrent a la base del transistor, el transistor s'encén.
Es tracta de la principal diferència entre els transistors NPN i PNP que s’utilitzen per dissenyar circuits elèctrics i electrònics i diverses aplicacions. A més, qualsevol dubte sobre aquest concepte o sobre saber més sobre els diferents tipus de configuracions de transistors , podeu donar els vostres consells fent comentaris a la secció de comentaris següent. Aquí teniu una pregunta, quin transistor té una major mobilitat electrònica?
